永源微代理商 AP15N04S 40V N沟道增强型MOSFET(永源旗舰店)

描述；

AP15N04S采用先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

特征；

漏源电压（VDS）=40V 漏极电流（ID）=15A

在栅源电压（VGS）=10V时，导通电阻（RDS(ON)）<13mΩ（典型值：10.5mΩ）

应用；

电池保护

负载开关

不间断电源

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