【环球网科技综合报道】第26届中国国际工业博览会于10月12日至16日在国家会展中心（上海）举行。本届工博会全新打造首届集成电路展（“国芯展”），中微半导体设备（上海）股份有限公司携平台化产品矩阵亮相，并凭借Primo UD-RIE®电容耦合等离子体刻蚀设备一举斩获2026工博会CIIF大奖与2026“国芯展”创新成果奖两项重磅荣誉，成为本届工博会CIIF大奖十大获奖企业之一，也是半导体设备赛道唯一获此殊荣的企业。
CIIF大奖是工博会最高荣誉之一，重点选拔具备技术突破性、行业引领性、实践应用性的标杆产品与技术，获奖成果须在技术创新或模式创新方面实现重大突破，已形成示范应用或规模商用。国芯展创新成果奖则覆盖设计、制造、封测、装备、材料全产业链，聚焦国产替代与关键技术突破。双奖加身，既是对单项产品技术突破的嘉奖，更是对中微公司平台化研发体系与规模化交付能力的综合肯定。
据介绍，Primo UD-RIE®是基于完全自主知识产权开发的12英寸高端CCP刻蚀机，基于成熟的Primo HD-RIE®设计架构全面升级，配备六个单反应台反应腔，升级了中微公司2004年首创的“甚高频去耦合反应离子刻蚀D-RIE技术”，采用更低频率、更大功率的射频脉冲电源，可满足极高深宽比刻蚀的严苛要求。设备引入多项创新技术，自主研发的动态边缘阻抗调节系统通过调节晶圆边缘等离子体壳层提升边缘深孔刻蚀垂直性，上电极多区温控系统优化了高射频功率下的散热管理，全新的温度可切换多区控温静电吸盘和主动控温边缘组件显著提升了晶圆边缘良率，为生产先进存储芯片提供有力保障。
展会期间，中微公司董事长兼总经理尹志尧博士应邀出席首届国芯展高峰论坛并发表主旨演讲，强调中微公司始终站在先进制程工艺发展的最前沿，绝不抄袭和复制国外的标配设备，一直坚持技术的创新、产品的差异化和知识产权保护。目前，中微公司已从单一刻蚀设备厂商稳步成长为综合半导体设备平台企业，累计开发出54种高端半导体设备，包括26种细分的单反应台反应腔和双反应台可单台独立操作的高能等离子体CCP及低能等离子体ICP刻蚀机，以及24种薄膜设备。高峰论坛上，中微公司还与上海华虹（集团）有限公司签署战略合作协议，双方将在设备与制造环节实现更紧密的协同创新，建立长期稳定的战略合作伙伴关系。
展会现场，中微公司新近发布的两款高端设备同样引发行业广泛关注。Primo XD-RIE™ 70到90比1极高深宽比刻蚀机依托完全自主知识产权研发打造，在多项有专利保护的核心技术上实现突破，适配先进存储芯片的高端制造需求。Prefima Unicore™ AM 12英寸ALD铝设备则填补了公司在原子层沉积钼工艺领域的技术空白，凭借高出货效率、紧凑占地与低化学品耗用等优势，为存储厂商应对超高层数堆叠的技术挑战提供了富有竞争力的选项。
目前，中微公司平台化战略已全面落地，产品覆盖度持续提升。未来五年，公司计划通过“有机生长和外延扩展”持续拓宽产品矩阵，覆盖刻蚀、薄膜、湿法和量检测设备等约60%以上的高端半导体设备市场，以及70%以上的先进封装设备市场，在规模、产品竞争力和客户满意度上成为国际第一梯队的微观加工设备公司。（由铮）
