【CNMO科技消息】据产业链消息，三星电子系统LSI事业部已决定采用2纳米工艺制造下一代外置5G调制解调器M2800系列。该产品计划于2027年完成开发，并用于2028年推出的Galaxy S28系列，届时将与Exynos 2800以双芯片形式搭载。
三星芯片
三星将外置调制解调器从4纳米转向2纳米后，可释放部分4纳米产能。相关产能将主要用于生产HBM底部的控制芯片。三星目前正调整晶圆代工业务的4纳米产能配置，将其更多用于HBM基础裸片制造。
用于Galaxy S27系列的M2700仍采用4纳米工艺，并将与Exynos 2700配套。三星已停止使用Shannon调制解调器品牌，后续产品改用M系列命名。此前的Shannon 5410对外也曾被称为Exynos调制解调器5410。
消息称，M2700已通过三星移动体验事业部内部测试，测试反馈较上一代有所改善。该芯片通过调整设计与软件，提高电源效率和数据传输速度，同时采用光学缩微技术，在工艺不变的情况下将芯片面积缩小约4%。其支持的3GPP标准由第17版升级至第18版，非地面网络卫星通信功能也得到改进。
今年Galaxy S26的外置调制解调器5410同样采用4纳米工艺。韩国市场的Galaxy S26标准版和Plus版搭载Exynos 2600与5410组合，美国市场则采用第五代骁龙8至尊版。产业链人士称，5410在待机功耗和标准功耗测试中相对竞争产品处于劣势，M2700经过电压调整等优化后，性能已达到或超过同类产品水平。
