
国家知识产权局信息显示,西南科技大学和四川通元新材料科技有限公司申请一项名为“一种双硅源氧化硅复合溶胶的制备方法及双硅源氧化硅薄膜”的专利,公开号CN123082299A,申请日期为2026年9月。
专利摘要显示,本发明公开了一种双硅源氧化硅复合溶胶的制备方法及双硅源氧化硅薄膜。制备方法包括:将硅源、无水乙醇、酸性催化剂和去离子水混合,经水解、老化制备得到;其中,所述硅源是以甲基三乙氧基硅烷为主体硅源、正硅酸四乙酯为改性硅源。将双硅源氧化硅复合溶胶涂覆于基底表面,静置初步成膜,热处理得到双硅源氧化硅薄膜。本发明通过双硅源协同调控薄膜微观结构,无需添加硅烷偶联剂即可实现成膜性与成膜强度的双重提升。所得薄膜均匀致密、无针孔开裂,光学透光性能良好、硬度高、附着力优异。本方法原料易得、工艺可控,适用于光学镜片、光伏玻璃、显示面板、激光器件等光学元件的增透与防护领域。
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